原廠單季度營(yíng)收低谷已過(guò)，部分高端存儲(chǔ)價(jià)格已現(xiàn)漲勢(shì)，預(yù)計(jì)23H2供需關(guān)系持續(xù)改善，部分產(chǎn)品價(jià)格有望回暖。綜合主要海外存儲(chǔ)大廠給出的CY23H2指引，我們認(rèn)為隨海外大廠稼動(dòng)控制，存儲(chǔ)供需改善，行業(yè)庫(kù)存持續(xù)去化，主流存儲(chǔ)價(jià)格下半年有望持續(xù)回暖，我們看好產(chǎn)業(yè)鏈公司23H2業(yè)績(jī)底部復(fù)蘇；隨AI服務(wù)器市場(chǎng)高速增長(zhǎng)，有望驅(qū)動(dòng)HBM出貨量及占比快速提升，看好國(guó)內(nèi)進(jìn)行HBM前瞻布局的相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈公司。建議關(guān)注：1）存儲(chǔ)模組；2）存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)；3）存儲(chǔ)配套芯片。

【資料圖】

▍存儲(chǔ)器價(jià)格情況：

DRAM方面：7月高端產(chǎn)品價(jià)格已現(xiàn)漲勢(shì)，環(huán)比-8.33%~+10.10%，本輪高點(diǎn)21年6月至23年7月累計(jì)跌幅為69%~83%。高端DRAM(DDR5)價(jià)格有所上漲，7月漲幅0%~10.10%，主流DRAM(DDR4)價(jià)格仍下跌，7月跌幅在1.02%~7.92%，較6月有所擴(kuò)大（6月跌幅1.37%~3.81%），利基DRAM(DDR3)價(jià)格跌幅在3.96%~8.33%（6月跌幅0.98%~7.69%），目前價(jià)格處于周期底部。我們認(rèn)為，雖然供應(yīng)商減產(chǎn)不及需求走弱速度，但相較23Q1，部分產(chǎn)品23Q2均價(jià)季跌幅有收縮趨勢(shì)，根據(jù)TrendForce，23Q2 DRAM跌幅收縮至13%-18%，其中，PC及Server DRAM跌幅為15%-20%；Mobile DRAM跌幅為13%-18%。TrendForce預(yù)計(jì)，受DRAM廠商陸續(xù)減產(chǎn)影響，整體DRAM供給逐季減少，加上季節(jié)性需求支撐減輕供應(yīng)商庫(kù)存壓力，23Q3跌幅將進(jìn)一步收縮至0%-5%，同時(shí)LPDDR5產(chǎn)品價(jià)格有望上漲0~5%。

NAND Flash方面：7月價(jià)格止跌回升，環(huán)比0.00%~+1.42%（512GB大容量首次環(huán)比上漲），本輪高點(diǎn)21年7月至23年6月累計(jì)跌幅為47%~71%。23H2旺季備貨周期將至，盡管今年需求低迷導(dǎo)致終端出貨持續(xù)下修，市場(chǎng)仍認(rèn)為23H2終端出貨量會(huì)優(yōu)于23H1，采購(gòu)量有機(jī)會(huì)逐季增加；由于多數(shù)供應(yīng)商已開(kāi)始減產(chǎn)，庫(kù)存壓力有望在Q3下降，三星等原廠報(bào)價(jià)態(tài)度強(qiáng)勢(shì)，Q3合約價(jià)有較大機(jī)率觸底反彈，并刺激買(mǎi)方采購(gòu)意愿，加速供需平衡。TrendForce預(yù)計(jì)23Q3起NAND Flash Wafer均價(jià)環(huán)比漲幅0%-5%，Q4漲幅將進(jìn)一步擴(kuò)大至8%~13%。

存儲(chǔ)模組方面：今年2月開(kāi)始價(jià)格下跌幅度收窄，7月價(jià)格基本穩(wěn)定，本輪高點(diǎn)22年3月至23年7月累計(jì)跌幅為45%~64%。據(jù)CFM閃存市場(chǎng)，截至6月27日，近半年DDR4 SODIMM（8GB 3200）價(jià)格由約17美金降至不足14美金，降幅約19%，OEM SSD（512GB SATA）由約26.5美金降至19.5美金，降幅約26%。11月下旬以來(lái)降幅有所收窄，我們認(rèn)為模組廠商產(chǎn)品單價(jià)有望于23H2企穩(wěn)回暖，隨下游需求復(fù)蘇而獲得銷(xiāo)量彈性，同時(shí)上游晶圓成本處于底部，有利于模組環(huán)節(jié)盈利水平修復(fù)。

▍交期及價(jià)格預(yù)測(cè)：貨期趨勢(shì)整體縮短，存儲(chǔ)器模塊交期仍維持穩(wěn)定，跌價(jià)已近尾聲。

根據(jù)TrendForce，23Q2 NAND Flash價(jià)格跌幅為10~15%，預(yù)計(jì)23Q3價(jià)格跌幅收縮至3~8%，供需錯(cuò)配下仍壓制NAND Flash價(jià)格止跌回穩(wěn)；NAND Flash Wafer均價(jià)預(yù)估將率先上漲，SSD、eMMC、UFS等模組產(chǎn)品則因下游客戶拉貨遲緩價(jià)格續(xù)跌，Q4 NAND整體均價(jià)有望止跌回升；根據(jù)TrendForce，23Q2 DRAM價(jià)格跌幅收縮至13%~18%，受DRAM廠商陸續(xù)減產(chǎn)影響，整體DRAM供給逐季減少，加上季節(jié)性需求支撐減輕供應(yīng)商庫(kù)存壓力，我們預(yù)計(jì)23Q3跌幅將進(jìn)一步收縮至0%~5%。

▍廠商數(shù)據(jù)：

主流存儲(chǔ)器價(jià)格承壓，中國(guó)臺(tái)灣存儲(chǔ)市場(chǎng)的重點(diǎn)公司如旺宏、華邦電、南亞科、力積電營(yíng)收同比下降，旺宏和力積電環(huán)比上升，華邦電和南亞科環(huán)比下降。旺宏7月?tīng)I(yíng)收同比-39.48%，環(huán)比+1.95%；華邦電7月?tīng)I(yíng)收同比-14.56%，環(huán)比-9.64%；南亞科7月?tīng)I(yíng)收同比-44.56%，環(huán)比-0.85%；力積電7月?tīng)I(yíng)收同比-49.06%，環(huán)比+0.10%。

▍供給側(cè)與需求側(cè)近況更新：

供給端：為應(yīng)對(duì)下游需求持續(xù)疲軟、行業(yè)供過(guò)于求，部分廠商調(diào)降投片量，同時(shí)下調(diào)2023年資本開(kāi)支及產(chǎn)能提升預(yù)期。據(jù)各公司業(yè)績(jī)發(fā)布會(huì)，美光FY2023資本支出降至70億美元，同比-40%以上，并將對(duì)DRAM和NAND進(jìn)一步減產(chǎn)30%至2024年；SK海力士FY2023資本開(kāi)支將同比削減超50%，并決定對(duì)NAND進(jìn)一步減產(chǎn)5-10%；西部數(shù)據(jù)預(yù)計(jì)FY2024資本支出將大幅下降；三星平澤與西安廠擴(kuò)大減產(chǎn)幅度；23H2大廠庫(kù)存消耗速度將加快，促使半導(dǎo)體整體產(chǎn)業(yè)狀況改善。量產(chǎn)、擴(kuò)產(chǎn)方面，SK海力士24GB LPDDR5X DRAM已量產(chǎn)并供貨OPPO；此外，SK海力士展示全球最高層321層NAND閃存樣品，計(jì)劃2025H1量產(chǎn)。從歷史周期看，資本開(kāi)支增速與市場(chǎng)增速?gòu)?qiáng)相關(guān)性，隨著各大存儲(chǔ)廠商陸續(xù)下調(diào)2023年資本開(kāi)支計(jì)劃并降低稼動(dòng)率，我們預(yù)計(jì)23年行業(yè)供給增速將低于需求增速，供需將逐步達(dá)到平衡，有助于庫(kù)存修復(fù)，我們看好存儲(chǔ)板塊周期2023年下半年見(jiàn)底。

需求端：下游廠商“降成本、去庫(kù)存”趨勢(shì)持續(xù)，看好需求逐步復(fù)蘇。2022年需求疲軟下行業(yè)庫(kù)存持續(xù)攀升，各大終端廠商將把重心持續(xù)放在去庫(kù)存及降成本上，22Q4末華碩、聯(lián)想、小米、浪潮庫(kù)存周轉(zhuǎn)天數(shù)相較22Q2末已有所好轉(zhuǎn)。但小米和浪潮由于庫(kù)存原材料增長(zhǎng)、提前備貨等原因，23Q1庫(kù)存周轉(zhuǎn)天數(shù)分別為87/179天，有所增加。我們認(rèn)為，目前終端廠商已處于去庫(kù)存的后期，全年出貨有望呈現(xiàn)前低后高。需求量來(lái)看，我們看好23H2至24年下游需求回暖趨勢(shì)：1）服務(wù)器端，我們預(yù)計(jì)23Q3需求將有望實(shí)現(xiàn)環(huán)比增長(zhǎng)，看好23H2 DDR5在服務(wù)器端需求提升，同時(shí)AI服務(wù)器DRAM和NAND的容量需求（content）是傳統(tǒng)的6~8x和3x；2）PC端，我們預(yù)計(jì)23年P(guān)C出貨同比下滑低兩位數(shù)（low-double digit）；3）手機(jī)及智能終端，我們預(yù)計(jì)23年智能手機(jī)出貨同比下降中個(gè)位數(shù)（mid-single digit），年內(nèi)前低后高，庫(kù)存逐季改善；4）汽車(chē)端穩(wěn)健增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)23Q3工業(yè)市場(chǎng)出現(xiàn)初步復(fù)蘇跡象，行業(yè)庫(kù)存及需求有望在23H2持續(xù)改善。

▍海外廠商業(yè)績(jī)追蹤：從海外大廠業(yè)績(jī)看存儲(chǔ)行業(yè)復(fù)蘇。

海外存儲(chǔ)大廠均已發(fā)布CY23Q2業(yè)績(jī)：美光實(shí)現(xiàn)營(yíng)收37.5億美元（-57% YoY，+2% QoQ）；三星電子DS板塊下存儲(chǔ)業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)營(yíng)收8.97萬(wàn)億韓元（-57% YoY，+1% QoQ）；SK海力士實(shí)現(xiàn)營(yíng)收7.31萬(wàn)億韓元（-47% YoY，+44% QoQ）；西部數(shù)據(jù)Flash業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)營(yíng)收13.77億美元（-43% YoY，+5% QoQ）。美光、三星電子（存儲(chǔ)業(yè)務(wù)）、SK海力士、西部數(shù)據(jù)（Flash業(yè)務(wù)）Q2營(yíng)收均實(shí)現(xiàn)環(huán)比增長(zhǎng)，存儲(chǔ)板塊營(yíng)收低谷已過(guò)。

▍投資建議：

原廠單季度營(yíng)收低谷已過(guò)，部分高端存儲(chǔ)價(jià)格已現(xiàn)漲勢(shì)，預(yù)計(jì)23H2供需關(guān)系持續(xù)改善，部分產(chǎn)品價(jià)格有望回暖。綜合主要海外存儲(chǔ)大廠給出的CY23H2指引，我們認(rèn)為隨海外大廠稼動(dòng)控制，存儲(chǔ)供需改善，行業(yè)庫(kù)存持續(xù)去化，主流存儲(chǔ)價(jià)格下半年有望持續(xù)回暖，我們看好產(chǎn)業(yè)鏈公司23H2業(yè)績(jī)底部復(fù)蘇；隨AI服務(wù)器市場(chǎng)高速增長(zhǎng)，有望驅(qū)動(dòng)HBM出貨量及占比快速提升，看好國(guó)內(nèi)進(jìn)行HBM前瞻布局的相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈公司。建議關(guān)注：1）存儲(chǔ)模組；2）存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)；3）存儲(chǔ)配套芯片。

▍風(fēng)險(xiǎn)因素：

下游需求復(fù)蘇不及預(yù)期；芯片價(jià)格持續(xù)下跌；行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇；新技術(shù)研發(fā)進(jìn)展緩慢；國(guó)際地緣政治沖突等。

關(guān)鍵詞：